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基于單分子層材料的去除機理,應用微觀接觸力學和概率統(tǒng)計方法建立了化學機械拋光(CMP)及材料去除的數(shù)學物理模型.模型揭示了材料的去除率和磨粒的大小、濃度呈非線性關系,而且模型預測結(jié)果與已有的試驗數(shù)據(jù)相吻合,為進一步研究磨粒對CMP材料去除的影響提供了新的研究視角.
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基于單分子層材料的去除機理,應用微觀接觸力學和概率統(tǒng)計方法建立了化學機械拋光(CMP)及材料去除的數(shù)學物理模型.模型揭示了材料的去除率和磨粒的大小、濃度呈非線性關系,而且模型預測結(jié)果與已有的試驗數(shù)據(jù)相吻合,為進一步研究磨粒對CMP材料去除的影響提供了新的研究視角.
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