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針對(duì)鐵路施工中一些施工技術(shù)人員對(duì)鐵路曲線超高和正矢的設(shè)置方法標(biāo)準(zhǔn)存在概念模糊不清,方法標(biāo)準(zhǔn)掌握不當(dāng)?shù)膯?wèn)題,詳細(xì)論述了新建鐵路曲線地段軌道超高與正矢的設(shè)置方法,施工標(biāo)準(zhǔn)及軌道標(biāo)識(shí)方法,以指導(dǎo)實(shí)踐。
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在偏向晶向8°的半絕緣4H-SiC(0001)面襯底上生長(zhǎng)了n型和p型SiC外延材料,在熔融KOH腐蝕液中對(duì)外延材料進(jìn)行腐蝕,使用掃描電子顯微鏡和光學(xué)顯微鏡對(duì)腐蝕后的外延材料進(jìn)行了測(cè)試表征,分析了基矢面位錯(cuò)在SiC外延材料中的轉(zhuǎn)化和延伸理論機(jī)制,并討論了不同導(dǎo)電類型的SiC材料在熔融KOH腐蝕液中的腐蝕機(jī)制。結(jié)果表明基矢面位錯(cuò)在n型SiC外延材料中更容易得到延伸,而在p型SiC外延材料中轉(zhuǎn)化為刃位錯(cuò);n型SiC在熔融KOH中的腐蝕,是電化學(xué)腐蝕占主導(dǎo)、各向同性的腐蝕過(guò)程,而p型SiC表現(xiàn)出各向異性的腐蝕特性。
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