MOS器件二次擊穿行為的電路級(jí)宏模塊建模

一、概述aleniasir-m二次雷達(dá)電源部分,+40v、+28v、+12v、-12v、+50v電壓是通過將220v交流電經(jīng)過變壓、整流、濾波、穩(wěn)壓后得到相應(yīng)的輸出電壓。由于二次雷達(dá)對(duì)電源的

1 第1章電源電路模塊 第1節(jié)變壓器電源電路（mcu+rs485） 1.1電路名稱 變壓器電源電路（mcu+rs485）。 1.2電路概述 變壓器輸出電源電路，是將市電利用變壓器的降壓以及后續(xù)的整流穩(wěn)壓輸出低壓直流電的功能電 源電路。本文針對(duì)公司靜止式電能表、預(yù)付費(fèi)電能表等產(chǎn)品中，普遍使用的輸出提供mcu計(jì)量和 rs485通信的兩路負(fù)載需要的變壓器電源電路作介紹。 火線line，縮寫l 零線neutral，縮寫n 地線earthline，縮寫e 保護(hù)接地線protectearthingline，縮寫pe 1.3電路圖及原理分析 1.4myn23-751k 1.5壓敏電阻：主要用途：防雷，過壓保護(hù)。如電力變壓器在進(jìn)戶端放入氧化鋅避雷器可以有效防雷， 電子設(shè)備在電網(wǎng)電源輸入端放入壓敏電阻，一但電網(wǎng)電壓升高壓敏電阻會(huì)不可恢復(fù)擊穿短

序 號(hào) 試題內(nèi)容 試題 類型 選項(xiàng) 數(shù)目 過 期 時(shí) 1jzxc-480型軌道測試盤上同時(shí)只能測試一個(gè)軌道電路區(qū)段的()。14 2jzxc-480型軌道電路分路殘壓為（）v。14 3jzxc-480型軌道電路調(diào)整狀態(tài)下，軌道繼電器交流端電壓應(yīng)（）v。14 4軌道電路的道岔跳線和鋼軌引接線斷股不得超過線總股數(shù)的（）。14 5 在道岔區(qū)段，設(shè)于警沖標(biāo)內(nèi)方的鋼軌絕緣，除雙動(dòng)道岔渡線上的絕緣外，其安裝位置距警沖 標(biāo)不得小于（）m。13 6接近連續(xù)式發(fā)碼區(qū)段的外側(cè)無軌道電路時(shí)，應(yīng)有（）。13 7 所有列車進(jìn)路上的道岔區(qū)段，其分支長度超過（）m時(shí)（自并聯(lián)起點(diǎn)道岔的叉心算 起），在該分支末端應(yīng)設(shè)接受端。13 8 jzxc-480型軌道電路送電端限流電阻（包括引接線電阻），在道岔區(qū)段，不小于（）

數(shù)字射頻存儲(chǔ)器(drfm)經(jīng)過近30年的發(fā)展,已成為大多數(shù)現(xiàn)代電子干擾系統(tǒng)的核心控制部件。介紹了數(shù)字射頻存儲(chǔ)器(drfm)在干擾機(jī)中的應(yīng)用,總結(jié)了drfm的工作原理、實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)、性能參數(shù)及國內(nèi)外應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì),特別是在drfm的基本結(jié)構(gòu)上提出加入調(diào)相處理模塊的設(shè)想,可以優(yōu)化干擾機(jī),達(dá)到有效干擾的目的。

基于運(yùn)算放大器構(gòu)成有源器件,并進(jìn)一步組成簡單的應(yīng)用系統(tǒng),如基于混沌掩蓋的保密通信系統(tǒng)等。通過對(duì)此系統(tǒng)部分或完整功能的設(shè)計(jì),以達(dá)到對(duì)集成運(yùn)放相關(guān)基本實(shí)驗(yàn)、有源電阻器件、有源電感器件、指定特性非線性電阻反演、特性曲線測量等基本理論和測量環(huán)節(jié)的訓(xùn)練。該系統(tǒng)由各部分功能電路組合而成,單獨(dú)進(jìn)行功能電路級(jí)實(shí)驗(yàn)簡單易于實(shí)現(xiàn),而每個(gè)模塊電路性能的好壞將直接影響系統(tǒng)功能的實(shí)現(xiàn)。系統(tǒng)功能目標(biāo)驅(qū)動(dòng)的綜合實(shí)驗(yàn),對(duì)于調(diào)動(dòng)學(xué)生積極性、主動(dòng)探索以及有效地考核實(shí)驗(yàn)效果均起到很好的作用。

模塊二變壓器

隨著集成電路的發(fā)展,器件尺寸進(jìn)入納米尺度領(lǐng)域,器件性能受到諸多挑戰(zhàn).針對(duì)納米cmos器件存在的問題,從可集成性考慮,基于由上而下途徑,從新型雙柵/多柵器件結(jié)構(gòu)角度介紹新型非對(duì)稱梯度低摻雜漏垂直溝道雙柵mos器件以及新型圍柵納米線mos器件的研制及特性分析,為下幾代集成電路技術(shù)的器件研究提供良好的思路.

針對(duì)橫拉接頭角鐵式車床夾具重心和連接盤回轉(zhuǎn)中心不重合的現(xiàn)象，運(yùn)用基于pro／e行為建模技術(shù)對(duì)橫接頭的車床夾具建立了重心與連接盤回轉(zhuǎn)中心距離的分析特征，對(duì)平衡塊的厚度和半徑兩個(gè)尺寸對(duì)質(zhì)心與回轉(zhuǎn)軸距離進(jìn)行了敏感度分析，并在此距離為零的情況下進(jìn)行了可行性分析，找出了一組解決方案，實(shí)現(xiàn)了動(dòng)平衡中質(zhì)心與回轉(zhuǎn)軸的重合。

分析了模塊化多電平換流器(mmc)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及原理?；趍mc的橋臂電流,建立了新型的電磁暫態(tài)模型,其中包括橋臂電流中基波分量、直流分量和二次分量的線性化方程。在此模型基礎(chǔ)上,針對(duì)mmc橋臂電流中各分量提出相應(yīng)控制策略,實(shí)現(xiàn)了換流器系統(tǒng)的外部功率控制和內(nèi)部環(huán)流控制。通過matlab/simulink對(duì)基于所述模型的控制策略進(jìn)行仿真試驗(yàn),結(jié)果表明了控制策略的正確性和有效性。

南京第壹有機(jī)光電有限公司成功制備出內(nèi)光提取ies-oled白光照明模塊,其能效達(dá)111.7im/w,創(chuàng)同類器件世界紀(jì)錄。近日,中國高科技產(chǎn)業(yè)化研究會(huì)在北京召開成果鑒定會(huì)認(rèn)為,該項(xiàng)目整體技術(shù)和系統(tǒng)達(dá)到國際先進(jìn)水平。為提高能效、延長產(chǎn)品壽命,南京第壹公司還自主研發(fā)出優(yōu)化的含微米顆粒的外光提取材料配方,在國際上首先使用簡便、廉價(jià)的涂層法,通過改進(jìn)材

南京第壹有機(jī)光電有限公司成功制備出內(nèi)光提取ies-oled白光照明模塊，其能效達(dá)111．71m／w，創(chuàng)同類器件世界紀(jì)錄。近日，中國高科技產(chǎn)業(yè)化研究會(huì)在北京召開成果鑒定會(huì)認(rèn)為，該項(xiàng)目整體技術(shù)和系統(tǒng)達(dá)到國際先進(jìn)水平。

我國成功制備出內(nèi)光提取ies-oled白光照明模塊,其能效達(dá)111.7流明/瓦,創(chuàng)同類器件世界紀(jì)錄。我國成功制備出內(nèi)光提取ies-oled白光照明模塊,其能效達(dá)111.7流明/瓦,創(chuàng)同類器件世界紀(jì)錄,該項(xiàng)目整體技術(shù)和系統(tǒng)達(dá)到國際先進(jìn)水平。oled,即有機(jī)發(fā)光二極管,又稱為有機(jī)電激光顯示。oled的基本結(jié)構(gòu)是由薄而透明具半導(dǎo)體特性的銦錫氧化物與電力正極相連,再加上另一個(gè)金屬陰極,包成如三明治型的結(jié)構(gòu)。當(dāng)電力供應(yīng)至適當(dāng)電壓時(shí),正極空穴與陰極電荷就會(huì)在發(fā)光層中結(jié)合,產(chǎn)生光亮,依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)rgb三原色,構(gòu)成基本色彩。oled的特性是自己發(fā)光,不像tft-lcd需要背光,因此可視度和亮度均高。其次,還具有電壓需求低且省電效率高,反應(yīng)快、重量輕、厚度薄、構(gòu)造簡單、成本低等特性。另外,oled可將電能轉(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體器件,照明能耗僅為白熾燈的1/6、熒光燈的1/2,與高質(zhì)led燈相當(dāng);oled光質(zhì)接近自然光,無熱輻射,不含汞及其他重金屬,無污染及廢棄物處理等問題。

觸摸時(shí)序電路器件介紹

利用ug的建模功能和excel的表格功能,研究了一種面向ug/wiring模塊的接插件模型庫創(chuàng)建方法,并討論了接插件端口屬性定義的方法。以j30j-9tj接插件為例說明了這種建模的方法的操作流程,建立了該系列接插件的模型庫,有效的減少了重復(fù)工作,提高了設(shè)計(jì)效率。

特征構(gòu)造的難題在數(shù)據(jù)挖掘過程中一直存在,傳統(tǒng)固化的特征工程對(duì)于業(yè)務(wù)場景千變?nèi)f化的數(shù)據(jù)挖掘任務(wù)所帶來的效益十分有限,因此解決特征工程的特征構(gòu)造問題已經(jīng)成為數(shù)據(jù)挖掘的瓶頸之一；尤其在機(jī)器學(xué)習(xí)算法快速發(fā)展的情況下,特征逐漸成為模型中急需重視的部分。基于電商平臺(tái)的用戶行為數(shù)據(jù),在原有特征群的基礎(chǔ)上提出了二次組合統(tǒng)計(jì)特征的構(gòu)建方法。利用二次交叉衍生出豐富而又切合業(yè)務(wù)場景的特征群,同時(shí)結(jié)合兩種滑動(dòng)窗口的方法,分別是定長滑動(dòng)窗口獲取更多的訓(xùn)練樣本,變長滑動(dòng)窗口獲取具有時(shí)間權(quán)重的訓(xùn)練特征,以此來最大限度地還原出用戶真實(shí)的行為習(xí)慣。最后,使用不同的特征組合結(jié)合降維的方法建立對(duì)照檢驗(yàn)?zāi)Ｐ?；并利用線性的邏輯回歸模型、線性支持向量機(jī)以及樹模型極端隨機(jī)森林與xgboost對(duì)模型進(jìn)行交叉驗(yàn)證。結(jié)果表明,組合特征在樹模型的算法中得到了非常好的表達(dá)效果；而且無論在線性模型還是樹模型中衍生特征群模型的f1值都優(yōu)于基礎(chǔ)特征群。

片上的在電路仿真器(ice)模塊,對(duì)于支持dsp系統(tǒng)的實(shí)時(shí)仿真和調(diào)試,加快系統(tǒng)開發(fā)進(jìn)程是至關(guān)重要的。文章結(jié)合一個(gè)通用數(shù)字信號(hào)處理器medsp的開發(fā),在基于國際標(biāo)準(zhǔn)的測試jtag接口的基礎(chǔ)上,通過擴(kuò)展部分jtag接口部分單元和medsp內(nèi)部單元的功能,在很小的代價(jià)條件下,設(shè)計(jì)了medsp處理器的片上ice模塊。仿真結(jié)果表明該模塊完全能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)medsp處理器的在電路仿真,而且不影響系統(tǒng)性能。

為了實(shí)現(xiàn)水下自主式機(jī)器人的控制,設(shè)計(jì)了一種基于ipm模塊的舵機(jī)控制電路。該電路將舵機(jī)控制信號(hào)與舵機(jī)位置反饋信號(hào)比較獲得的直流偏置電壓信號(hào)作為脈寬調(diào)制芯片uc1637的輸入信號(hào)。uc1637根據(jù)輸入直流偏置電壓信號(hào)的變化輸出不同占空比的pwm信號(hào)驅(qū)動(dòng)ipm模塊內(nèi)部不同igbt的通斷,從而實(shí)現(xiàn)舵機(jī)的控制。該電路將ipm模塊和脈寬調(diào)制芯片uc1637用于舵機(jī)控制,使該電路具有成本低廉和容易實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該控制電路運(yùn)行穩(wěn)定,控制精度高,有很強(qiáng)的應(yīng)用推廣價(jià)值。

繼電器控制電路模塊及原理 （摘自http://www.***.***） 一、能直接帶動(dòng)繼電器工作的cmos集成塊電路 在電子愛好者認(rèn)識(shí)電路知識(shí)的的習(xí)慣中，總認(rèn)為cmos集成塊本身不能直接 帶動(dòng)繼電器工作，但實(shí)際上，部分cmos集成塊不僅能直接帶動(dòng)繼電器工作，而 且工作還非常穩(wěn)定可靠。本實(shí)驗(yàn)中所用繼電器的型號(hào)為jrc5m－dc12v微型密封 的繼電器（其線圈電阻為750ω）?，F(xiàn)將cd4066cmos集成塊帶動(dòng)繼電器的工作 原理分析如下： cd4066是一個(gè)四雙向模擬開關(guān)，集成塊scr1～scr4為控制端，用于控制四 雙向模擬開關(guān)的通斷。當(dāng)scr1接高電平時(shí)，集成塊①、②腳導(dǎo)通，＋12v→k1→ 集成塊①、②腳→電源負(fù)極使k1吸合；反之當(dāng)scr1輸入低電平時(shí)，集成塊①、 ②腳開路，k1失電釋放，scr2～scr4輸入高電平或低電平時(shí)狀態(tài)與scr1

對(duì)溝道長度從10μm到0.13μm,柵氧化層厚度為2.5nm的halo結(jié)構(gòu)nmos器件的直接隧穿柵電流進(jìn)行了研究,得到了一個(gè)適用于短溝道halo結(jié)構(gòu)mos器件的直接隧穿柵電流模型.隨著溝道尺寸的縮短,源/漏擴(kuò)展區(qū)占據(jù)溝道的比例越來越大,源漏擴(kuò)展區(qū)的影響不再可以忽略不計(jì).文中考慮了源/漏擴(kuò)展區(qū)對(duì)直接隧穿柵電流的影響,給出了適用于不同halo摻雜劑量的超薄柵(2~4nm)短溝(0.13~0.25μm)nmos器件的半經(jīng)驗(yàn)直接隧穿柵電流模擬表達(dá)式.

根據(jù)epcclass1generation2協(xié)議和fcc標(biāo)準(zhǔn),要求發(fā)射模塊的發(fā)射頻率精度為±10×10-6(10ppm),發(fā)射功率在20~30dbm之間。我們用genesis等軟件對(duì)發(fā)射模塊的各個(gè)部分電路進(jìn)行設(shè)計(jì)并繪制pcb板,利用頻譜分析儀等設(shè)備對(duì)射頻板的發(fā)射模塊進(jìn)行測試,發(fā)射功率能達(dá)到24dbm左右;單音測試時(shí)發(fā)射頻率偏差約22hz;調(diào)制信號(hào)測試時(shí)頻率偏差約3.5khz,其他指標(biāo)也符合要求。結(jié)果表明發(fā)射模塊性能良好,能很好地滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。

以pm200dsa060型智能功率模塊(ipm)為例,介紹ipm的結(jié)構(gòu),給出ipm的外圍驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路和緩沖電路的設(shè)計(jì)方案,介紹pm200dsa060在單相逆變器中的應(yīng)用。

分析了我國autocad開發(fā)的現(xiàn)狀,闡述了autocad開發(fā)環(huán)境的變化,介紹了autocad二次開發(fā)語言及工具,探討了運(yùn)用autolisp語言對(duì)autocad進(jìn)行二次開發(fā)以實(shí)現(xiàn)三維地層模型。