V型溝槽Si襯底上SrTiO-3薄膜制備

采用快速熱化學(xué)氣相沉積方法在氧化鋁和氮化鋁陶瓷襯底上制備多晶硅薄膜及太陽(yáng)電池。多晶硅薄膜的晶粒尺寸在經(jīng)過(guò)區(qū)再結(jié)晶后增大且霍爾遷移率提高,但隨后的薄膜生長(zhǎng)發(fā)現(xiàn)薄膜出現(xiàn)裂紋,影響了電池的效率,在al_2o_3襯底上得到196mv開(kāi)路電壓,1．93ma短路電流；在ain襯底上得到310mv開(kāi)路電壓,5．31ma短路電流。

采用磁控濺射方法在玻璃襯底上制備了不同厚度的fepd合金薄膜。利用x射線衍射（xrd）,能譜（eds）和物理性能測(cè)試研究了薄膜厚度對(duì)結(jié)構(gòu)和磁性能的影響。結(jié)果表明,在fepd合金薄膜中有序化過(guò)程發(fā)生在更厚的薄膜中。隨著薄膜厚度從d=22.5nm增加到d=67.5nm,面內(nèi)矯頑力剛開(kāi)始急劇增大,然后隨著薄膜厚度的進(jìn)一步增加矯頑力會(huì)減小。在d=67.5nm時(shí)面內(nèi)矯頑力最大約為3.2×79.6ka/m。

采用直流反應(yīng)磁控濺射法在玻璃片上制備了tin薄膜,研究不同制備工藝條件與薄膜性能之間的關(guān)系。用紫外-可見(jiàn)光分光光度計(jì)測(cè)試了不同沉積時(shí)間和n2流量條件下tin薄膜透光率;用x射線衍射儀分析了不同n2流量和濺射功率條件下tin薄膜結(jié)構(gòu);用掃描電鏡(sem)觀察了tin薄膜的表面腐蝕形貌,用恒電位儀對(duì)tin薄膜的耐腐蝕性進(jìn)行了分析。結(jié)果表明:當(dāng)沉積時(shí)間為2min,n2流量為15ml/min時(shí),在可見(jiàn)光區(qū)有較高的透光率,在近紅外區(qū)的透光率很低;當(dāng)n2流量為15ml/min,濺射功率為4kw時(shí),tin薄膜的結(jié)晶最致密;當(dāng)濺射功率為4kw時(shí),tin薄膜具有較好的耐腐蝕性。

用溶膠-凝膠法在經(jīng)過(guò)表面氧化處理的不銹鋼基板上制備了含銀的銳鈦礦型二氧化鈦復(fù)合薄膜,對(duì)薄膜進(jìn)行了xrd、sem、光學(xué)顯微鏡等分析,并對(duì)不銹鋼的抗菌性和其他性能進(jìn)行了測(cè)定,討論了樣品中結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系.

用溶膠凝膠法在經(jīng)過(guò)表面氧化處理的不銹鋼基板上制備了含銀的銳鈦礦型二氧化鈦復(fù)合薄膜,對(duì)薄膜進(jìn)行了xrd、sem、光學(xué)顯微鏡等分析,并對(duì)不銹鋼的抗菌性和其他性能進(jìn)行了測(cè)定,討論了樣品中結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系

第４５卷第５期 ２００８年９月 真空ｖａｃｕｕｍｖｏｌ．４５，ｎｏ．５ ｓｅｐ．２００８ 收稿日期：２００７－１０－０３ 作者簡(jiǎn)介：王光偉（１９７１－），男，山東省濱州市人，副教授，博士。 ＊基金項(xiàng)目：天津市高?？萍及l(fā)展基金項(xiàng)目（ｎｏ．２００６０６０５）。 ｚｎｏ薄膜的制備方法、性質(zhì)和應(yīng)用＊ 王光偉，張建民，鄭宏興，楊斐 （天津工程師范大學(xué)電子工程系，天津３００２２２） 摘要：介紹了寬禁帶半導(dǎo)體ｚｎｏ薄膜的制備工藝、主要性質(zhì)和器件應(yīng)用等幾方面內(nèi)容。ｚｎｏ薄膜的制 備方法大致分為物理法和化學(xué)法。前者主要包括濺射、脈沖激光沉積和分子束外延等；后者則涵蓋化學(xué)氣 相沉積、噴霧熱解和溶膠－凝膠法等。從

對(duì)介質(zhì)－金屬組合的建筑節(jié)能薄膜進(jìn)行了理論設(shè)計(jì)，給出了雙層和三層膜的理論參數(shù)。用計(jì)算機(jī)模擬了大面積薄膜的膜厚均勻性分布，獲得了最佳的蒸發(fā)源配置，實(shí)驗(yàn)上達(dá)到了滿足實(shí)際使用的均勻性要求。最后給出了實(shí)際樣品的光譜特性。

氧化物薄膜半導(dǎo)體材料的研制及應(yīng)用 zno薄膜的結(jié)構(gòu)、性能應(yīng)用和制備 摘要：介紹了寬禁帶半導(dǎo)體zno薄膜的結(jié)構(gòu)、主要性質(zhì)、制備工藝和應(yīng)用等幾方面內(nèi)容。 關(guān)鍵詞：zno薄膜；結(jié)構(gòu)；性質(zhì)；制備 abstract:thecrystalstructure，basicperformance,andpreparationofznofilms withwideforbiddenbandwerereviewed. keywords:znothinfilm；crystalstructure；nature；preparation 1引言 zno是ii-vi族寬禁帶直接帶隙化合物半導(dǎo)體,室溫下禁帶寬度約為3.3ev,激子束縛 能為60mev，可以實(shí)現(xiàn)室溫下的激子發(fā)射。自1997年報(bào)道了zno薄膜紫外受

以鎂(mg)為可燃物質(zhì),聚四氟乙烯(ptfe)為氧化劑,利用磁控濺射和真空蒸鍍兩種方法,制備薄膜煙火器件,研究?jī)煞N制膜工藝在性能上的差異,并對(duì)其附著力、薄膜粒度和燃速進(jìn)行了測(cè)量。結(jié)果表明,磁控濺射制得的薄膜附著力為35.88mn,粒度為0.1～0.5μm,燃速為(623.9±12.5)mm.s-1,其主要性能優(yōu)于真空蒸鍍法制得的薄膜。

hdpe/eva共混物在薄膜流延機(jī)上進(jìn)行薄膜成型,制備了hdpe/eva共混物薄膜,對(duì)其薄膜的結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了分析。其結(jié)果表明,隨著eva中mah含量的增加,共混薄膜的力學(xué)性能得到提高,同時(shí)共混物薄膜的熱粘合性能得到較大程度的提高,當(dāng)mah的接枝含量為0.8%,重量比為30%時(shí),hdpe/eva共混物薄膜的熱粘合力可達(dá)到3.6n/15mm。

介紹了多晶si薄膜的成膜機(jī)理及其在集成電路中的應(yīng)用,針對(duì)溝槽功率mosfet集成電路制造中兩種主流多晶si工藝的優(yōu)點(diǎn)和不足進(jìn)行了分析和對(duì)比。從柵氧化層厚度分布和arrivingangle模型兩個(gè)方面分析了溝槽中多晶si空洞的形成機(jī)制。闡述了金屬通過(guò)多晶si空洞穿透si襯底導(dǎo)致器件失效的理論,并通過(guò)失效器件的fib分析對(duì)理論加以證實(shí)。最后基于arrivingangle模型理論,在試驗(yàn)中改變溝槽頂端和底部寬度,將溝槽刻蝕成倒梯形的結(jié)構(gòu),以多晶si填充溝槽經(jīng)歷高溫退火工藝再進(jìn)行sem分析。分析結(jié)果證實(shí),改變溝槽頂端和底部寬度可徹底消除溝槽中多晶si的空洞,提高器件的可靠性。

采用母料法(二次擠出法)制備hdpe/poe/caco3共混物薄膜。比較了母料法與一次擠出法制得薄膜的力學(xué)性能與透光率。結(jié)果表明,在工藝參數(shù)相同時(shí),母料法制備的薄膜力學(xué)性能比一次擠出法要好,而薄膜透光率基本相同。當(dāng)poe、重質(zhì)碳酸鈣質(zhì)量分?jǐn)?shù)均為10%時(shí),母料法制備的薄膜拉伸強(qiáng)度、斷裂伸長(zhǎng)率、單位沖擊破損質(zhì)量比純hdpe薄膜分別提高了24.8%、27.5%、121%,比一次擠出法制備的薄膜力學(xué)性能分別提高了36.8%、14.1%、52.5%。

以piranha溶液處理玻璃基板,采用液相沉積技術(shù),制備了鈦酸鍶晶態(tài)薄膜。改性基板的親水性測(cè)定與偏光顯微鏡測(cè)試表明,piranha溶液能夠有效改善玻璃基板的親水性,并且基板表面的硅烷醇對(duì)鈦酸鍶薄膜的沉積具有積極指導(dǎo)作用;x射線衍射(xrd)與掃描電鏡(sem)表征顯示,制備成功的鈦酸鍶薄膜純度高,結(jié)晶良好,樣品表面均勻,在垂直基板表面方向上呈纖維花簇狀生長(zhǎng)。文章同時(shí)對(duì)基板表面硅烷醇形成過(guò)程進(jìn)行了研究。

設(shè)計(jì)了一款55vn溝道溝槽型功率器件。通過(guò)對(duì)元胞與邊端進(jìn)行理論分析,結(jié)合實(shí)際工藝,對(duì)元胞與邊端進(jìn)行合理優(yōu)化。通過(guò)對(duì)流片測(cè)試數(shù)據(jù)的分析,最終實(shí)現(xiàn)擊穿電壓為69.562v、閾值電壓2.85v、特征導(dǎo)通電阻537.8mω·cm2的功率器件設(shè)計(jì)。仿真與流片的擊穿電壓偏差1.5%、閾值電壓偏差2.4%、導(dǎo)通電阻偏差0.83%,器件具有較高的可靠性。

濺射鍍膜技術(shù)采用高能粒子轟擊靶材,濺射出的粒子重新沉積凝聚在固體表面形成薄膜,這種技術(shù)在現(xiàn)代薄膜材料制備過(guò)程中得到廣泛應(yīng)用。本文闡述了目前直接利用輝光放電中產(chǎn)生的離子進(jìn)行濺射鍍膜技術(shù)在單原子金屬、半導(dǎo)體材料、絕緣材料、化合物薄膜材料制備工藝的研究進(jìn)展以及展望。

薄壁類零件的加工一直是機(jī)械加工行業(yè)的一道難題,如何選擇正確的裝夾方法和合理的切削用量都對(duì)加工效果起著決定性的作用。如圖1所示,在φ89mm×1mm的不銹鋼管上銑削一條680mm×10mm的直槽

titanpetchem(m)sdn.bhd. (co.no.154990w) (formerlyknownastitanpppolymers(m)sdn.bhd.) productdata titanpropm383 forboppfilm薄膜級(jí)pp characterpolypropylenehomopolymer. thebaseresinmeetstherequirementsoftheu.s.foodanddrugadministrationas specifiedin21cfr177.1520(a)(1)(i)and(c)1.1a.theadjuvantsmeettheir respectivefdaregulationsand21cfr177.15

多晶硅薄膜太陽(yáng)電池在提高電池效率和大幅度降低成本等方面具有極大潛力。陶瓷材料是高溫路線制備多晶硅薄膜電池最常用的襯底材料之一。本文介紹了陶瓷襯底上多晶硅薄膜的制備方法及其電池結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝,最后綜述了當(dāng)前該領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。

在國(guó)家基金委和中科院的大力支持下，中科院長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)研究所楊小牛研究小組，在充分考慮可控溶劑蒸汽處理對(duì)聚合物薄膜形態(tài)構(gòu)建有較高的精確度和重復(fù)性，將此方法用于基于聚噻吩／碳60復(fù)合薄膜光敏層的形態(tài)控制，找到了一種共軛聚合物與納米粒子的復(fù)合薄膜及制備方法，對(duì)于改善并提高太陽(yáng)能電池屬性具有重要作用。

astableaqueouselectrolytesolutioncontainingcu(ii)cationsand(scn)anionswaspreparedbyaddingedta(ethylenediaminetetraaceticaciddisodiumsalt,c10h14n2o8na2·2h2o)tochelatewithcu(ii)cations.cuscnfilmswereelectrodepositedontransparentitoconductingsubstratesfromas-preparedelectrolytesolution.depositionmechanismsofcuscnatvariedtemperatureshavebeenstudied.theresultsindicatethatelectronquantumtunnelthroughcuscnfilmplaysaroleandthedensethinfilmwithnanocrystalswasobtainedatorbelowroomtemperature.however,athighertemperature,athermallyactivatedprocesswasinvolvedandathickfilmwasobtained.ithasbeencalculatedthattheactivationenergyofthegrowthforcrystalsis0.5ev.xpspatternshowsthattheelectrodepositedfilmis(scn)instoichiometricexcess,indicatingap-typefilm.as-preparedcuscnfilmwaswithhightransmittance(≥85%)inthevisibleopticalrangeandthedirecttransitionbandgapwas3.7ev.

研究了pp與塑性體共混制備薄膜的性能,實(shí)驗(yàn)證明摻混塑性體的pp薄膜抗脆化能力得到提高,可經(jīng)受高能輻射殺菌,應(yīng)用于醫(yī)療用品的包裝

HDPE微薄薄膜