更新日期: 2025-06-22

使開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大到12倍的雙極晶體管

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使開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大到12倍的雙極晶體管 4.5

圖1所示電路采用最少的外部元件,就可使0.5A補(bǔ)償型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓集成電路的最大輸出電流提高到6A以上。該電路適用于15V~60V輸入電壓,根據(jù)所選開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓集成電路的不同,可提供3.3V、5V或12V三種輸出電壓。圖2是在高達(dá)60V的輸入電壓范圍內(nèi)繪制的三種標(biāo)準(zhǔn)輸出電壓的轉(zhuǎn)換效率曲線。該電路適用于要求輸出電流、輸入電壓比標(biāo)準(zhǔn)集成電路高,或

絕緣柵雙極晶體管的設(shè)計(jì)要點(diǎn) 絕緣柵雙極晶體管的設(shè)計(jì)要點(diǎn) 絕緣柵雙極晶體管的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

絕緣柵雙極晶體管的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

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介紹了絕緣柵雙極晶體管(igbt)的基本結(jié)構(gòu)和工作原理;討論了igbt各關(guān)鍵參數(shù)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中需要考慮的主要問(wèn)題;分析了igbt設(shè)計(jì)中需要協(xié)調(diào)的幾對(duì)矛盾參數(shù)的關(guān)系以及影響igbt可靠性的關(guān)鍵因素。

電子輻照對(duì)開(kāi)關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響 電子輻照對(duì)開(kāi)關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響 電子輻照對(duì)開(kāi)關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響

電子輻照對(duì)開(kāi)關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響

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功率雙極晶體管的損耗是開(kāi)關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一,采用10mev電子輻照來(lái)降低功率雙極晶體管的下降延時(shí),以此來(lái)降低功率雙極晶體管的關(guān)斷損耗。在一個(gè)典型的充電器開(kāi)關(guān)電源中,85v交流輸入電壓下,功率雙極晶體管總損耗最多降低了42%,系統(tǒng)效率提高了2.1%。

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互補(bǔ)絕緣門(mén)極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開(kāi)關(guān)器件 互補(bǔ)絕緣門(mén)極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開(kāi)關(guān)器件 互補(bǔ)絕緣門(mén)極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開(kāi)關(guān)器件

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互補(bǔ)絕緣門(mén)極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開(kāi)關(guān)器件 4.6

互補(bǔ)絕緣門(mén)極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開(kāi)關(guān)器件

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第五章雙極型晶體管開(kāi)關(guān)特性

第五章雙極型晶體管開(kāi)關(guān)特性

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第五章雙極型晶體管開(kāi)關(guān)特性 4.8

第五章雙極型晶體管開(kāi)關(guān)特性

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開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管熱門(mén)文檔

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第五章雙極型晶體管開(kāi)關(guān)特性 (2)

第五章雙極型晶體管開(kāi)關(guān)特性 (2)

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第五章雙極型晶體管開(kāi)關(guān)特性 (2) 4.3

第五章雙極型晶體管開(kāi)關(guān)特性 (2)

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雙極型功率開(kāi)關(guān)晶體管的新結(jié)構(gòu) 雙極型功率開(kāi)關(guān)晶體管的新結(jié)構(gòu) 雙極型功率開(kāi)關(guān)晶體管的新結(jié)構(gòu)

雙極型功率開(kāi)關(guān)晶體管的新結(jié)構(gòu)

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雙極型功率開(kāi)關(guān)晶體管的新結(jié)構(gòu) 4.4

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動(dòng)態(tài)控制開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的輸出電壓 動(dòng)態(tài)控制開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的輸出電壓 動(dòng)態(tài)控制開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的輸出電壓

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動(dòng)態(tài)控制開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的輸出電壓 4.6

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雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)特性 雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)特性 雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)特性

雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)特性

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雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)特性 4.6

根據(jù)雙極型靜電感應(yīng)晶體管的通斷特性,提出了開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試方法。測(cè)試和給出了gji2d雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)參數(shù)、曲線和反偏參數(shù)。將gji2d與國(guó)外的雙極型晶體管和功率場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行了比較。

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10kV絕緣柵雙極型晶體管固體開(kāi)關(guān)的研制 10kV絕緣柵雙極型晶體管固體開(kāi)關(guān)的研制 10kV絕緣柵雙極型晶體管固體開(kāi)關(guān)的研制

10kV絕緣柵雙極型晶體管固體開(kāi)關(guān)的研制

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10kV絕緣柵雙極型晶體管固體開(kāi)關(guān)的研制 4.3

 采用8只ixlf19n250a絕緣柵雙極型晶體管串聯(lián)研制成功了10kv固體開(kāi)關(guān)。試驗(yàn)表明:該固體開(kāi)關(guān)最高輸出電壓為14kv,最高輸出脈沖電流為20a、輸出脈沖寬度可在2112μs之間以1μs步長(zhǎng)變化,脈沖重復(fù)頻率范圍為1hz4khz,短時(shí)間可以工作到8.6khz。

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開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管精華文檔

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第四章雙極型晶體管功率特性

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第四章雙極型晶體管功率特性 4.4

第四章雙極型晶體管功率特性

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雙極型靜電感應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間的測(cè)量與分析 雙極型靜電感應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間的測(cè)量與分析 雙極型靜電感應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間的測(cè)量與分析

雙極型靜電感應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間的測(cè)量與分析

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雙極型靜電感應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間的測(cè)量與分析 4.7

從理論和實(shí)驗(yàn)兩方面對(duì)靜電感應(yīng)晶體管(bsit)的開(kāi)關(guān)時(shí)間進(jìn)行了分析和測(cè)量,提出了簡(jiǎn)單的分析方法,將影響bsit開(kāi)關(guān)時(shí)間的各個(gè)因素歸結(jié)為結(jié)構(gòu)因子和材料因子,從而簡(jiǎn)化了分析影響bsit開(kāi)關(guān)時(shí)間的因素,對(duì)于bsit的實(shí)際工藝、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有指導(dǎo)意義。

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16第三章晶體管的開(kāi)關(guān)特性與擊穿電壓

16第三章晶體管的開(kāi)關(guān)特性與擊穿電壓

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16第三章晶體管的開(kāi)關(guān)特性與擊穿電壓 4.5

16第三章晶體管的開(kāi)關(guān)特性與擊穿電壓

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選用恰當(dāng)?shù)某挽o態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器 選用恰當(dāng)?shù)某挽o態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器 選用恰當(dāng)?shù)某挽o態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器

選用恰當(dāng)?shù)某挽o態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器

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選用恰當(dāng)?shù)某挽o態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器 4.5

靜態(tài)電流相同或極接近的超低靜態(tài)電流ldo的動(dòng)態(tài)性能可能差異很大。有兩項(xiàng)主要因素決定了這些器件的動(dòng)態(tài)性能。一是使用的半導(dǎo)體工藝,大多數(shù)當(dāng)今ldo使用先進(jìn)的cmos或bicmos技術(shù)制造;二是ldo設(shè)計(jì)中應(yīng)用的技術(shù)。有幾種不同類(lèi)型的超低靜態(tài)電流

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在復(fù)合式晶體開(kāi)關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián) 在復(fù)合式晶體開(kāi)關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián) 在復(fù)合式晶體開(kāi)關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)

在復(fù)合式晶體開(kāi)關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)

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在復(fù)合式晶體開(kāi)關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián) 4.7

在復(fù)合式晶體開(kāi)關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)

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開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管最新文檔

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正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路 正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路 正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路

正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路

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正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路 4.4

過(guò)去,電荷泵電路主要應(yīng)用于電壓反轉(zhuǎn)(v_(out)≈v_(in))或倍壓電路(v_(out)≈2v_(in))中,它們的輸出都不穩(wěn)壓,如icl7660、icl7662、max660等。近年來(lái),利用電荷泵電路可進(jìn)行升壓和降壓,并集成了新型穩(wěn)壓電路(電壓調(diào)節(jié)電路),開(kāi)發(fā)出無(wú)電感器的dc/dc變換器,它就是正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路。本文介紹其主要特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)與工作原理及典型應(yīng)用電路。

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銻化銦晶體管工作電壓低、開(kāi)關(guān)快

銻化銦晶體管工作電壓低、開(kāi)關(guān)快

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銻化銦晶體管工作電壓低、開(kāi)關(guān)快 4.7

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基于雙極工藝的LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

基于雙極工藝的LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

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基于雙極工藝的LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì) 4.8

基于雙極工藝的LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

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多路輸出直流穩(wěn)壓電源

多路輸出直流穩(wěn)壓電源

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多路輸出直流穩(wěn)壓電源 4.4

中南民族大學(xué) 課程設(shè)計(jì) 題目多路輸出直流穩(wěn)壓電源 學(xué)院計(jì)算機(jī)科學(xué)學(xué)院 專(zhuān)業(yè)自動(dòng)化 班級(jí)一班 姓名 指導(dǎo)教師 2010年6月20日 電子技術(shù)課程設(shè)計(jì) 任務(wù)書(shū) 設(shè)計(jì)題目:多路輸出直流穩(wěn)壓電源 學(xué)生姓名:專(zhuān)業(yè)班級(jí):自動(dòng)化一班學(xué)號(hào): 指導(dǎo)教師簽名:2010年6月20日 一、設(shè)計(jì)條件 1.可選元件(或自備元件): 變壓器(±15v/15w):一只 整流二極管或整流橋:若干 電阻、電容、電位器:若干 三端集成穩(wěn)壓器:若干 2.可用儀器:萬(wàn)用表,示波器,毫伏表,信號(hào)發(fā)生器,直流穩(wěn)壓源 二、設(shè)計(jì)任務(wù)及要求 1.設(shè)計(jì)任務(wù) 根據(jù)技術(shù)要求和已知條件,完成對(duì)多路輸出直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)、裝配與調(diào)試。 2.設(shè)計(jì)要求 (1)將220v/50hz交流電源轉(zhuǎn)換為五路直流穩(wěn)壓電源輸出:±12v

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電壓輸出與電流成比例的改進(jìn)型電流監(jiān)控器 電壓輸出與電流成比例的改進(jìn)型電流監(jiān)控器 電壓輸出與電流成比例的改進(jìn)型電流監(jiān)控器

電壓輸出與電流成比例的改進(jìn)型電流監(jiān)控器

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電壓輸出與電流成比例的改進(jìn)型電流監(jiān)控器 4.6

本設(shè)計(jì)實(shí)例是對(duì)以往設(shè)計(jì)實(shí)例的擴(kuò)展(參考文獻(xiàn)1)。原版采用一個(gè)電流變壓器,它的次級(jí)繞組構(gòu)成一個(gè)振蕩器振蕩回路的一部分。正常條件下,流經(jīng)電流變壓器單匝初級(jí)繞組的直流電流不會(huì)使電路保持振蕩,直到初級(jí)電流停止流動(dòng)。雖然這個(gè)電路起到一個(gè)斷電檢測(cè)器的作用,

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場(chǎng)板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機(jī)理研究 場(chǎng)板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機(jī)理研究 場(chǎng)板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機(jī)理研究

場(chǎng)板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機(jī)理研究

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場(chǎng)板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機(jī)理研究 4.3

通過(guò)實(shí)驗(yàn)和數(shù)值器件仿真研究了鈍化gan高電子遷移率晶體管(hemts)、柵場(chǎng)板ganhemts和柵源雙層場(chǎng)板ganhemts電流崩塌現(xiàn)象的物理機(jī)理,建立了電流崩塌強(qiáng)度與帽層中載流子濃度、陷阱電離率和電場(chǎng)的內(nèi)在聯(lián)系.研究結(jié)果表明,場(chǎng)板可以有效調(diào)制帽層中橫向和縱向電場(chǎng)的強(qiáng)度分布,并可有效調(diào)制縱向電場(chǎng)的方向,減弱柵極附近電場(chǎng)強(qiáng)度,增加場(chǎng)板下方電場(chǎng)強(qiáng)度,這會(huì)減弱柵極附近自由電子的橫向運(yùn)動(dòng),增強(qiáng)場(chǎng)板下方自由電子的縱向運(yùn)動(dòng),進(jìn)而可以有效調(diào)制帽層中自由電子濃度的分布,提高陷阱的電離率,減小器件的電流崩塌.

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過(guò)壓保護(hù)穩(wěn)壓器和浪涌電流限幅器 過(guò)壓保護(hù)穩(wěn)壓器和浪涌電流限幅器 過(guò)壓保護(hù)穩(wěn)壓器和浪涌電流限幅器

過(guò)壓保護(hù)穩(wěn)壓器和浪涌電流限幅器

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過(guò)壓保護(hù)穩(wěn)壓器和浪涌電流限幅器 4.4

lt4356-3是一個(gè)新的可選版本,在故障情況下可以鎖斷工作。它也是一個(gè)產(chǎn)品系列的最新成員,這個(gè)產(chǎn)品系列用來(lái)抑制高壓浪涌和電流,以保護(hù)下游電子組件免受損壞。性能特點(diǎn):電壓范圍為4~80v;可調(diào)輸出鉗位電壓;

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雙輸入和雙穩(wěn)壓輸出穩(wěn)壓電路TAR8H01K 雙輸入和雙穩(wěn)壓輸出穩(wěn)壓電路TAR8H01K 雙輸入和雙穩(wěn)壓輸出穩(wěn)壓電路TAR8H01K

雙輸入和雙穩(wěn)壓輸出穩(wěn)壓電路TAR8H01K

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雙輸入和雙穩(wěn)壓輸出穩(wěn)壓電路TAR8H01K 4.5

tar8h01k是日本東芝公司生產(chǎn)的低壓差(ldo)穩(wěn)壓器新品,東芝稱(chēng)之為點(diǎn)穩(wěn)壓器,它是一種采用了超小型8引腳的封裝結(jié)構(gòu)的雙輸入和雙穩(wěn)壓輸出(2.8v和3.0v)的穩(wěn)壓集成電路,通過(guò)其控制端可以使穩(wěn)壓輸出端導(dǎo)通和截止,并且具有過(guò)熱和過(guò)流保護(hù)功能。為手機(jī)、電池供電設(shè)備和其它可攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品等等提供了更小尺寸和更具成本效益的選擇。

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一種低壓大電流直流電源的輸出電壓補(bǔ)償設(shè)計(jì) 一種低壓大電流直流電源的輸出電壓補(bǔ)償設(shè)計(jì) 一種低壓大電流直流電源的輸出電壓補(bǔ)償設(shè)計(jì)

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一種低壓大電流直流電源的輸出電壓補(bǔ)償設(shè)計(jì) 4.6

文中基于一種采用vicordc-dc轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的低壓大電流直流電源,通過(guò)采樣負(fù)載點(diǎn)電壓,外加反饋電路來(lái)調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)換器輸出電壓,以補(bǔ)償在大電流傳輸時(shí)負(fù)載線上的電壓降,從而達(dá)到穩(wěn)定負(fù)載點(diǎn)電壓的目的。本文詳細(xì)分析了電壓補(bǔ)償電路的原理,介紹了元器件選擇方法,并通過(guò)電壓補(bǔ)償電路的設(shè)計(jì)和測(cè)試驗(yàn)證了該電路的可行性。

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美國(guó)研究者推出具有p型掩埋層電流阻斷的垂直氮化鎵晶體管 美國(guó)研究者推出具有p型掩埋層電流阻斷的垂直氮化鎵晶體管 美國(guó)研究者推出具有p型掩埋層電流阻斷的垂直氮化鎵晶體管

美國(guó)研究者推出具有p型掩埋層電流阻斷的垂直氮化鎵晶體管

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美國(guó)研究者推出具有p型掩埋層電流阻斷的垂直氮化鎵晶體管 4.7

加利福利亞圣芭芭拉大學(xué)和亞利桑那州立大學(xué)近期研制出一種氮化鎵電流孔徑垂直電子晶體管(cavet),該產(chǎn)品擁有p型掩埋層,能產(chǎn)生反向偏置pn結(jié)。cavet將二維電子氣和垂直結(jié)構(gòu)相結(jié)合,在鋁鎵氮/氮化鎵界面處的二維電子氣能提供較高的導(dǎo)電性能,而垂直結(jié)構(gòu)能使得產(chǎn)品在較低峰值的條件下具有較好的電場(chǎng)分布。

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開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管相關(guān)

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陶千

職位:市政給排水工程師

擅長(zhǎng)專(zhuān)業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林

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