更新日期: 2025-06-22

巧用單刀雙擲開關

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巧用單刀雙擲開關 4.7

巧用單刀雙擲開關

5 mm高隔離鰭線單刀雙擲開關 5 mm高隔離鰭線單刀雙擲開關 5 mm高隔離鰭線單刀雙擲開關

5 mm高隔離鰭線單刀雙擲開關

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設計并實現(xiàn)了5mm(u頻段)單刀雙擲(singlepoledoublethrow,spdt)開關模塊。該開關模塊采用鰭線并聯(lián)pin二極管電路結構形式,通過采用一種全新的高隔離度措施,獲得高隔離、低插損開關特性。經(jīng)加工測試,開關模塊在50~56ghz頻帶內(nèi)隔離度大于50db,插損小于2.3db。該模塊已應用于5mm射頻組件中。

毫米波單刀雙擲開關的設計與制作 毫米波單刀雙擲開關的設計與制作 毫米波單刀雙擲開關的設計與制作

毫米波單刀雙擲開關的設計與制作

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以0.25μmgaasphemt為基礎,介紹了微波單片集成電路開關模型的設計、測試及建模過程,并以此平臺開展了單刀雙擲開關芯片的設計與研制。討論了phemt開關建模的重要性,解決了建模中的關鍵問題,包括開關的設計、測試系統(tǒng)的校準、模型參數(shù)的提取,建立了毫米波范圍內(nèi)高精度的等效電路模型。單刀雙擲開關的設計采用了并聯(lián)式反射型電路拓撲,開關的測試采用了微波探針在片測試系統(tǒng),在18~30ghz獲得了優(yōu)異的電性能,插入損耗il≤1.5db,輸入/輸出駐波比vswr≤1.5∶1,關斷狀態(tài)下的隔離度iso≥30db,芯片尺寸為1.2mm×1.8mm×0.1mm。

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東芝推出新型GaAsMESFET單刀雙擲開關 東芝推出新型GaAsMESFET單刀雙擲開關 東芝推出新型GaAsMESFET單刀雙擲開關

東芝推出新型GaAsMESFET單刀雙擲開關

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東芝推出新型GaAsMESFET單刀雙擲開關 4.8

東芝公司推出一種新的小型低斷面gaasmesfet、單刀雙擲開關。這種小型開關非常適用于多波段/多模蜂窩天線開關組件、藍牙組件和無線局域網(wǎng)。上述gaasmesfetmmic1ghz下插損0.35db(2ghz下0.40db),1ghz和2ghz下隔離24db。其功率性能優(yōu)良,25ghz下1db壓縮功率(p1db)為17dbm,對于極小型低斷面封裝而言,上述功率性能是非常之好了。這種tg2217ctb型單刀雙擲開關采用甚小低斷面無引線6針芯片級封

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帶有直流偏置的毫米波單刀雙擲開關仿真與設計 帶有直流偏置的毫米波單刀雙擲開關仿真與設計 帶有直流偏置的毫米波單刀雙擲開關仿真與設計

帶有直流偏置的毫米波單刀雙擲開關仿真與設計

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帶有直流偏置的毫米波單刀雙擲開關仿真與設計 4.6

采用階躍阻抗傳輸線和扇形微帶短截線,實現(xiàn)了單刀雙擲開關的直流偏置,使直流支路與毫米波支路之間的隔離度大于30db,帶寬超過25%,在中心頻率30ghz附近回波損耗大于40db。采用這種直流偏置電路和pin梁式引線二極管,基于ltcc工藝對單刀雙擲開關串聯(lián)結構進行仿真。設計結果表明在28.5~31.5ghz頻率范圍內(nèi),串聯(lián)開關的插入損耗小于1.5db,回波損耗大于15db,隔離度大于20db。

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單刀雙擲開關熱門文檔

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寬帶pin二極管單刀雙擲開關的設計與實現(xiàn) 寬帶pin二極管單刀雙擲開關的設計與實現(xiàn) 寬帶pin二極管單刀雙擲開關的設計與實現(xiàn)

寬帶pin二極管單刀雙擲開關的設計與實現(xiàn)

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寬帶pin二極管單刀雙擲開關的設計與實現(xiàn) 4.4

采用兩個pin二極管設計、仿真,制作了一個8~20ghz并聯(lián)結構的高功率容量的單刀雙擲開關。首先通過采用一個新的電路結構,該電路結構除了傳統(tǒng)的并聯(lián)pin單刀雙擲開關結構外,還有微帶線匹配電路部分,克服了并聯(lián)結構單刀雙擲開關難以實現(xiàn)大的帶寬的缺點。然后選擇合適的二極管,根據(jù)其參數(shù),建立開路、短路等效電路模型;利用ansoftdesigner軟件對電路進行了仿真和優(yōu)化。最后根據(jù)優(yōu)化結果制作并測試了單刀雙擲開關。該單刀雙擲開關插入損耗在頻率8~20ghz內(nèi)小于1.7db,在頻率8~15ghz內(nèi)小于1.5db;開關隔離度在整個頻帶內(nèi)大于21db;在14ghz耐功率容量大于10w(cw)。

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一種新型RF MEMS單刀雙擲開關的設計與仿真 一種新型RF MEMS單刀雙擲開關的設計與仿真 一種新型RF MEMS單刀雙擲開關的設計與仿真

一種新型RF MEMS單刀雙擲開關的設計與仿真

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一種新型RF MEMS單刀雙擲開關的設計與仿真 4.7

本文介紹了一種利用單驅(qū)動電壓控制通路選擇的新型rfmems單刀雙擲開關,利用三維仿真軟件ansofthfss和ansys進行仿真和優(yōu)化設計該開關的性能。仿真結果表明:驅(qū)動電壓為22v,開關時間為22μs,在中心頻率30ghz處,開關處于down狀態(tài)下的插入損耗為0.42db,回波損耗為43db,隔離度為29db;而當開關處于up狀態(tài)的插入損耗為0.53db,回波損耗為19db,隔離度為28db,該開關的性能仿真和優(yōu)化設計達到理想情況。。

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單刀雙擲開關在自動增益控制電路中的應用 單刀雙擲開關在自動增益控制電路中的應用 單刀雙擲開關在自動增益控制電路中的應用

單刀雙擲開關在自動增益控制電路中的應用

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單刀雙擲開關在自動增益控制電路中的應用 4.5

自動增益控制電路(agc)是微波接收機中常用的一種電路。為了提高器件使用效率,優(yōu)化端口駐波匹配,可以使用單刀雙擲開關來實現(xiàn)agc電路。單刀雙擲開關采用pin二極管制作,其插入損耗小、隔離度較高、并且端口駐波較好。該開關采用串并聯(lián)電路方式,并利用ansoft公司的serenade軟件對其進行仿真優(yōu)化,電路基板使用rogers的rt5880板材。經(jīng)過實際測試,該agc電路的工作頻率為9.5~10.5ghz,正常支路插損小于4db,帶內(nèi)平坦度0.5db,輸入輸出駐波比小于1.6。

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雙通道單刀雙擲模擬開關的設計

雙通道單刀雙擲模擬開關的設計

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雙通道單刀雙擲模擬開關的設計 4.3

西安電子科技大學 碩士學位論文 雙通道單刀雙擲模擬開關的設計 姓名:黃麗芳 申請學位級別:碩士 專業(yè):微電子學與固體電子學 指導教師:賈護軍 20090101 雙通道單刀雙擲模擬開關的設計 作者:黃麗芳 學位授予單位:西安電子科技大學 本文鏈接:http://d.g.wanfangdata.com.cn/thesis_y1556615.aspx 下載時間:2010年4月14日

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單刀雙擲(也稱單開雙控)開關在照明電路中的應用

單刀雙擲(也稱單開雙控)開關在照明電路中的應用

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單刀雙擲(也稱單開雙控)開關在照明電路中的應用 4.7

單刀雙擲(也稱單開雙控)開關 在照明電路中的應用 江蘇省泗陽縣李口中學沈正中 照明電路中的墻面板開關,一般有單(一)開單(一)控開關 (也稱單刀單擲開關)、雙(兩)開單(一)控開關、三開單(一) 控開關、四開單(一)控開關、單(一)開雙控開關(也稱單刀 雙擲開關)、雙(兩)開雙(兩)控開關、三開雙(兩)控開關、 四開雙(兩)控開關,這里的“單(一)開、雙(兩)開、三開、 四開”是指開關的個數(shù)。 雙控開關可以作單控開關用,但單控開關不能作雙控開關用。 單開雙控開關接線原理圖如下: 單開雙控實物接線圖如下: 下圖是單開雙控開關的實物圖 下圖是雙開雙控開關的實物: 注意,雙控開關有3、6、9、12、,,個接線孔的,買開關時 要看清楚。 一開雙控開關有四種接法,見下圖。 上圖中的四種接法雖然能達到控制燈的開與關,但前兩種不太安 全,不建議使用這兩種方法。因為燈關掉后,燈的兩邊(有可能)

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單刀雙擲開關精華文檔

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單刀雙擲N型射頻同軸繼電器的設計 單刀雙擲N型射頻同軸繼電器的設計 單刀雙擲N型射頻同軸繼電器的設計

單刀雙擲N型射頻同軸繼電器的設計

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單刀雙擲N型射頻同軸繼電器的設計 4.5

對單刀雙擲射頻同軸繼電器的工作原理和主要技術指標進行了介紹,重點闡述了產(chǎn)品結構、ttl電路控制系統(tǒng)、電磁系統(tǒng)及射頻傳輸切換系統(tǒng)的設計方法,對同類產(chǎn)品的設計具有一定的參考意義。

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單刀雙擲(也稱單開雙控)開關在照明電路中的應用

單刀雙擲(也稱單開雙控)開關在照明電路中的應用

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單刀雙擲(也稱單開雙控)開關在照明電路中的應用 4.4

單刀雙擲(也稱單開雙控)開關 在照明電路中的應用 江蘇省泗陽縣李口中學沈正中 照明電路中的墻面板開關,一般有單(一)開單(一)控開關 (也稱

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C波段大功率單刀四擲收發(fā)開關的設計 C波段大功率單刀四擲收發(fā)開關的設計 C波段大功率單刀四擲收發(fā)開關的設計

C波段大功率單刀四擲收發(fā)開關的設計

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C波段大功率單刀四擲收發(fā)開關的設計 4.5

采用電磁場分析方法,研究在大功率工作條件下臺面結構pin二極管管芯的工作模式,提取相應的s參數(shù),以優(yōu)化并聯(lián)式開關電路的阻抗匹配網(wǎng)絡,分析開關導通和關斷時的電性能,以及大信號下的功率損耗,研制出了c波段大功率單刀四擲開關。在5.1~5.7ghz頻帶內(nèi),測得開關小信號插損小于0.67db、駐波比小于1.2、隔離度優(yōu)于55db、開通時間優(yōu)于380ns、關斷時間優(yōu)于230ns;大信號插損小于1.1db、檢波延遲時間優(yōu)于118ns,設計指標滿足了工程應用的要求。

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一種單端匹配式PIN單刀單擲功率開關芯片 一種單端匹配式PIN單刀單擲功率開關芯片 一種單端匹配式PIN單刀單擲功率開關芯片

一種單端匹配式PIN單刀單擲功率開關芯片

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一種單端匹配式PIN單刀單擲功率開關芯片 4.8

采用pin二極管工藝技術,設計、制作了一種微波單端匹配式pin單刀單擲功率開關芯片,并給出了詳細測試曲線。該開關由四級pin二極管組成,采用單端匹配結構。工作頻率8~10ghz,整個帶內(nèi)插入損耗小于0.7db,輸出端口駐波比小于1.4:1,輸入端口開關態(tài)駐波比均小于1.4:1,在9ghz點頻下測得1db壓縮點輸入功率大于31dbm,芯片內(nèi)部集成偏置電路,采用+5v/-5v供電,在+5v工作條件下,電流20ma。該芯片面積為2.0mm×1.4mm。

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1~26.5GHz GaAs PIN單刀單擲開關單片 1~26.5GHz GaAs PIN單刀單擲開關單片 1~26.5GHz GaAs PIN單刀單擲開關單片

1~26.5GHz GaAs PIN單刀單擲開關單片

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1~26.5GHz GaAs PIN單刀單擲開關單片 4.6

采用gaaspin二極管,完成1~26.5ghz的單刀單擲開關單片的設計、制作。spst開關單片帶內(nèi)插損小于0.5db,駐波優(yōu)于1.1,隔離度大于27db,在10~26.5ghz,隔離度大于37db。開關單片采用mocvd生長的gaas縱向pin二極管材料結構,76mmgaas圓片工藝加工制作。

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單刀雙擲開關最新文檔

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一種基于MMIC技術的S波段GaAs單刀單擲開關 一種基于MMIC技術的S波段GaAs單刀單擲開關 一種基于MMIC技術的S波段GaAs單刀單擲開關

一種基于MMIC技術的S波段GaAs單刀單擲開關

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一種基于MMIC技術的S波段GaAs單刀單擲開關 4.3

射頻開關作為一個系統(tǒng)的重要組成部分其性能直接影響整個系統(tǒng)的指標和功能。其中插入損耗和隔離度以及開關速度是射頻開關最重要的幾個指標。在實際測試中,s波段脈沖信號源需要產(chǎn)生快前沿的窄脈沖信號。在此基于上述需求,利用了射頻開關模塊設計的基本原理,并結合了pcb上微帶線的特性阻抗分析,且設計了合適的開關驅(qū)動電路,最終設計出一種高隔離度,低插入損耗,高速射頻開關,開關控制電壓為(0,-5v)。在頻率2~4ghz的條件下,插入損耗小于1.7db,隔離度大于48db,結果滿足設計要求。

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單刀雙開關

單刀雙開關

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單刀雙開關 4.7

單刀雙開關 開關中單刀雙擲與單刀單擲有什么區(qū)別? 船形開關分類:單刀單擲:1個動觸點和1個靜觸點。只有1通道/— 單刀雙擲:1個動觸點和2個靜觸點,—/—(可分別接通兩邊的靜觸 點)雙刀單擲,2個動觸點和2個靜觸點,有2個通道‖雙刀雙擲,2 個動觸點和4個靜觸點,有4個通道〓(可分別接通兩邊的2個靜觸 點))參考:... 單刀雙擲開關怎么接 首先要認清單刀雙擲開關的動端和不動端,動端就是所謂的“刀”, 它應該連接電源的進線,也就是來電的一端,一般也是與開關的手柄 相連的一端;另外的兩端就是電源輸出的兩端,也就是所謂的不動端, 它們是與用電設備相連的。單刀雙擲開關的作用,一是可以控制電源 向兩個不同的方向... 單刀雙擲開關初中物理題 你問對我啦。單刀開關的兩端分別接r0和rx,r0,rx另兩端接在一 起把電流表接在干路,總開關接在

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雙刀雙擲開關

雙刀雙擲開關

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雙刀雙擲開關 4.7

雙刀雙擲開關 1、概念。 雙刀雙擲開關,雙刀顧名思義指的是可動的導電刀閘片有兩片。兩片刀閘片 上接有電源;當?shù)堕l片切到上端與靜刀口接通時則為其供電,此時下靜刀口 則無電。當?shù)堕l片切到下端的靜刀口接通時則此路供電,此時上靜刀口則無 電,這種用法是一路電源為兩路用電線路不同時供電的用法。還有一種用法 就是刀閘片連接的是用電側的線路而上下靜刀口則分別接入兩路電源,通過 動刀片與不同的靜刀口接通實現(xiàn)兩路電源為一條線路供電。 2、實物圖 3、有六個接線端,分別為1.2.3和4.5.6.其中2和4為公共端。 4、幾種電路圖 5、實際應用電路

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組合了電源控制、用戶輸入功能的單刀單擲按鈕開關 組合了電源控制、用戶輸入功能的單刀單擲按鈕開關 組合了電源控制、用戶輸入功能的單刀單擲按鈕開關

組合了電源控制、用戶輸入功能的單刀單擲按鈕開關

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組合了電源控制、用戶輸入功能的單刀單擲按鈕開關 4.7

本設計實例介紹了對某種舊設計的增強措施(參考資料1)。圖1中的電路使用常開型單刀單擲按鈕開關s1,它代替了原始設計要求的單刀雙擲開關。您可以使用膜片開關來大大簡化該器件的工業(yè)設計并增強它的人機控制特性。另外,該電路消除了流過未動作開關的電流,由此略微減少了工作模式中的泄漏電流。

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巧用雙刀雙擲開關給普通電鉆增加反轉(zhuǎn)功能

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巧用雙刀雙擲開關給普通電鉆增加反轉(zhuǎn)功能 4.4

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Custom MMIC公司宣布推出新型DC-26GHz單刀雙擲開關 Custom MMIC公司宣布推出新型DC-26GHz單刀雙擲開關 Custom MMIC公司宣布推出新型DC-26GHz單刀雙擲開關

Custom MMIC公司宣布推出新型DC-26GHz單刀雙擲開關

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Custom MMIC公司宣布推出新型DC-26GHz單刀雙擲開關 4.7

custommmic公司是單片微波集成電路開發(fā)商,最近在其標準產(chǎn)品序列中又添加了一種新的單刀雙擲開關-cmd230。據(jù)稱,這是該公司單刀雙擲開關中插入損耗最小的,為1.4db。cmd230是以芯片形式存在的通用寬帶高隔離反射的mmicspdt。帶寬涵蓋dc-26ghz,具有低的插入損耗(1.4db),輸入ip3為37dbm,13ghz時具

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雙0.5Ω單極/單擲和單極/雙擲開關 雙0.5Ω單極/單擲和單極/雙擲開關 雙0.5Ω單極/單擲和單極/雙擲開關

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雙0.5Ω單極/單擲和單極/雙擲開關 4.5

isl54062是雙0.5ωspdt開關,具有低導通電阻和低壓操作的特點,可處理信號輸入上的負電壓信號。其工作電壓為+1.8v~+6.5v,可傳送低于正電壓軌、最大擺幅達6.5v的信號。isl54062和該系列的其他產(chǎn)品,包括isl54063和isl54064,帶有intersil的“咔噠”聲消除電路。

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Pasternack推出采用50歐姆反射式設計的單刀雙擲高功率PIN二極管射頻開關新產(chǎn)品線 Pasternack推出采用50歐姆反射式設計的單刀雙擲高功率PIN二極管射頻開關新產(chǎn)品線 Pasternack推出采用50歐姆反射式設計的單刀雙擲高功率PIN二極管射頻開關新產(chǎn)品線

Pasternack推出采用50歐姆反射式設計的單刀雙擲高功率PIN二極管射頻開關新產(chǎn)品線

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Pasternack推出采用50歐姆反射式設計的單刀雙擲高功率PIN二極管射頻開關新產(chǎn)品線 4.7

業(yè)界領先的射頻、微波及毫米波產(chǎn)品供應商美國pasternack公司推出一系列適用于發(fā)射和接收信號路由應用的單刀雙擲(spdt)高功率pin二極管射頻開關新產(chǎn)品。這些產(chǎn)品的典型用途包括雷達系統(tǒng)、電子戰(zhàn)、基站基礎設施、中繼器、軍用/微波無線電、公共安全/陸地移動無線電、uhf/vhf無線電以及測試測量。

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雙SPDT(單刀/雙擲)、低壓模擬信號開關 雙SPDT(單刀/雙擲)、低壓模擬信號開關 雙SPDT(單刀/雙擲)、低壓模擬信號開關

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雙SPDT(單刀/雙擲)、低壓模擬信號開關 4.8

as1747兼具0.4ω的超低通態(tài)電阻與小于0.03ω的通道間匹配,從而使通道間的信號差異降至最低。另外,as1747還具有0.25ω的導通電阻平坦度。綜合上述優(yōu)勢,該器件使總諧波失真(thd+n)降至僅0.01%,可獲得優(yōu)異的音頻信號品質(zhì)。

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DC~35GHz超寬帶單刀四擲開關單片集成電路 DC~35GHz超寬帶單刀四擲開關單片集成電路 DC~35GHz超寬帶單刀四擲開關單片集成電路

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DC~35GHz超寬帶單刀四擲開關單片集成電路 4.3

設計了一款工作頻率為dc~35ghz的超寬帶單刀四擲開關單片集成電路,其單片電路內(nèi)部集成了驅(qū)動2∶4譯碼器。通過ads軟件對多種開關電路拓撲進行優(yōu)化,設計出了一種合理的開關結構。采用先進的e/dphemt工藝進行版圖設計并進行了版圖電磁場仿真驗證,在gaasphemt工藝線上進行了流片,對制作的芯片進行了在片測試,測試結果表明,在dc~35ghz頻率范圍內(nèi),單刀四擲單片開關的插入損耗(il)小于3.5db,隔離度大于30db,回波損耗小于-10db,易于控制,滿足設計要求,在微波電路t/r組件中有很好的應用前景。目前未見同類超寬帶單刀四擲單片開關的相關報道。

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胡曉光

職位:巖土工程師

擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林

單刀雙擲開關文輯: 是胡曉光根據(jù)數(shù)聚超市為大家精心整理的相關單刀雙擲開關資料、文獻、知識、教程及精品數(shù)據(jù)等,方便大家下載及在線閱讀。同時,造價通平臺還為您提供材價查詢、測算、詢價、云造價、私有云高端定制等建設領域優(yōu)質(zhì)服務。手機版訪問: 單刀雙擲開關